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  • 產品名稱:SKIIP1513GB172-3DL

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  • 產品廠商:西門康
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IGBT管在使用過程中,經常受到容性或感性負載的沖擊,發生過負荷甚至負載短路等,可能導致IGBT管損壞。IGBT管在使用時的損壞原因主要有過電壓損壞和靜電損壞 SKIIP1513GB172-3DL
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供應西門康模塊SKIIP1513GB172-3DL

  IGBT管在使用過程中,經常受到容性或感性負載的沖擊,發生過負荷甚至負載短路等,可能導致IGBT管損壞。IGBT管在使用時的損壞原因主要有過電壓損壞和靜電損壞
  
  IGBT管在關斷時,由于電路中存在電感成分,關斷瞬間將產生尖峰電壓。如果尖峰電壓超過IGBT管器件的*高峰值電壓,將造成IGBT管擊穿損壞。IGBT管過電壓損壞可分為集電極一柵極過電壓、柵極一發射極過電壓、高du/dt過電壓等。

  大多數過電壓保護電路的設計都比較完善,但是對于由高du/dt所致的過電壓故障,在設計中基本上都是采用無感電容或者RCD結構的吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠,會造成IGBT管損壞,對此可采用電壓鉗位,往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管(推薦使用美國Diodes公司的1.5KE××A產品系列),采用柵極電壓動態控制方式。當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時,超出的電壓將疊加在柵極上(米勒效應起作用),避免了IGBT管因受集電極一發射極過電壓而損壞。

  采用柵極電壓動態控制可以解決由于過高的du/dt帶來的集電極一發射極瞬間過電壓問題,但是它的弊端是:當IGBT管處于感性負載運行狀態時,關斷的IGBT管由于其反并聯二極管(續流二極管)的恢復,其集電極和發射極兩端的電壓急劇上升,承受很高的瞬間du/dt。在多數情況下該du/dt值要比IGBT管正常關斷時的集電極一發射極電壓上升率高。

  由于米勒電容(Cres)的存在,該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用,直接導致柵極一發射極電壓UGE升高,甚至超過IGBT管的開通門限電壓UGEth,出現的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發導通。

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